随着集成电路密度提高，晶体管的工艺节点不断微缩，已逼近物理极限。三维互补式场效应晶体管（3D CMOS）技术成为破局的潜在路径。传统硅基3D CMOS集成技术热预算较高，导致工艺复杂成本提高，并可能引发性能退化等问题，限制了其商业应用。
针对上述问题，中国科学院微电子研究所研究员李博与副研究员陆芃团队，基于碳纳米管材料低温成膜能力，提出碳纳米管/硅异质集成的3D CMOS技术，实现了180nm SOI器件后道的低温碳纳米管器件集成。该团队提出面向高性能数字电路应用的工艺优化方案，可实现碳纳米管器件阈值电压的精准调控，可完成N、P晶体管电学特性的匹配，使3D CMOS噪声容限提升，同时实现高增益、超低功耗和高均一性等优异性能。
进一步，为论证这一述技术在先进工艺节点中的集成能力，团队使用TCAD仿真搭建了14nm FinFET/CNT 3D CMOS电路单元。理论分析显示，该技术在噪声容限和功耗方面优于商用14nm-FinFET工艺。
相关研究成果以Low-Thermal-Budget Construction of Carbon Nanotube p-FET on Silicon n-FET toward 3D CMOS FET Circuits with High Noise Margins and Ultra-Low Power Consumption为题，发表在《先进功能材料》（Advanced Functional Materials）上。该工作由微电子所、南京大学、安徽大学合作完成。
论文链接
碳硅三维异质集成CMOS FET器件示意图
金属表面超疏水在自清洁、防腐、减阻和防冰等领域具有潜在的应用价值。当前，金属表面超疏水性能的实现依赖于传统的二元协同设计思想，即在材料表面制作微/纳米结构，进而采用低表面能有机物进行修饰。这种依靠粘附 近日，教育部携手中央广播电视总台聚焦学生心理健康主题共同发布《关注篇》公益广告，这是扎实落实教育部等十七部门联合印发的《全面加强和改进新时代学生心理健康工作专项行动计划（2023—2025年）》的重要举措。 建 普通高等学校特殊类型招生是高校考试招生工作的重要组成部分。日前，教育部印发通知，对做好2025年普通高校部分特殊类型招生工作进行部署，要求各地各有关高校深入贯彻党的二十届三中全会和全国教育大会精神，进一步建立 在“我来北京上大学”2024年残疾人大学生分享会上，来自清华大学、北京邮电大学、中国传媒大学、中央音乐学院等高校的6名残疾人大学生，分享了他们各自充满挑战且鼓舞人心的成长历程，弘扬了 中国教育报-中国教育新闻网11月13日讯（记者 王家源）今天，在北京市东城区史家胡同小学召开的北京市中小学劳动教育推进会暨东城区劳动教育工作现场会上，北京市教委、北京教科院发布《北京市中小学 中国教育报-中国教育新闻网讯（记者 周洪松 通讯员 焦洛 王志超 范胜利）为提高师生消防安全意识，普及消防安全知识，日前，河北省石家庄市平山县通过新媒体平台为广大师生上了一堂别开生面的“消防安 。本文链接：碳纳米管/硅异质集成的三维互补式场效应晶体管技术提出http://www.sushuapos.com/show-12-1089-0.html
声明：本网站为非营利性网站，本网页内容由互联网博主自发贡献，不代表本站观点，本站不承担任何法律责任。天上不会到馅饼，请大家谨防诈骗！若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。
上一篇： 肿瘤“作弊器”持续存在的关键机制获揭示
下一篇： 室温高效分子半导体自旋输运材料研究获进展