随着集成电路密度提高，晶体管的工艺节点不断微缩，已逼近物理极限。三维互补式场效应晶体管（3D CMOS）技术成为破局的潜在路径。传统硅基3D CMOS集成技术热预算较高，导致工艺复杂成本提高，并可能引发性能退化等问题，限制了其商业应用。
针对上述问题，中国科学院微电子研究所研究员李博与副研究员陆芃团队，基于碳纳米管材料低温成膜能力，提出碳纳米管/硅异质集成的3D CMOS技术，实现了180nm SOI器件后道的低温碳纳米管器件集成。该团队提出面向高性能数字电路应用的工艺优化方案，可实现碳纳米管器件阈值电压的精准调控，可完成N、P晶体管电学特性的匹配，使3D CMOS噪声容限提升，同时实现高增益、超低功耗和高均一性等优异性能。
进一步，为论证这一述技术在先进工艺节点中的集成能力，团队使用TCAD仿真搭建了14nm FinFET/CNT 3D CMOS电路单元。理论分析显示，该技术在噪声容限和功耗方面优于商用14nm-FinFET工艺。
相关研究成果以Low-Thermal-Budget Construction of Carbon Nanotube p-FET on Silicon n-FET toward 3D CMOS FET Circuits with High Noise Margins and Ultra-Low Power Consumption为题，发表在《先进功能材料》（Advanced Functional Materials）上。该工作由微电子所、南京大学、安徽大学合作完成。
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碳硅三维异质集成CMOS FET器件示意图
复旦大学公共卫生学院教授余宏杰联合英国牛津大学教授Moritz Kraemer、比利时鲁汶大学教授Philippe Lemey、英国皇家兽 “未来，创新驱动至关重要，要结合基础与应用研究，利用前沿科技推动产业升级。”11月8日，中国工程院院士、大连工业大学教授朱 青少年心理健康工作是建设教育强国、健康中国的重要内容，是党中央关心、人民群众关切、社会关注的重大课题。 党的十八大以来，以习近平同志为核心的党中央高度重视和关心广大青少年的心理健康和成长发展。党的二 在第十五届中国航展期间，首次实装参展的中国海军和首批舰载机女飞行学员——韩梦和王梦迪，成为关注的焦点。两位“00后”舰载机女飞行学员主要负责在室内场馆的人民海军展厅进行招飞政策宣讲、 应秘鲁总统博鲁阿尔特邀请，习近平主席将于11月13日至17日赴利马出席亚太经合组织第三十一次领导人非正式会议并对秘鲁进行国事访问。这是习近平主席时隔8年再次访问秘鲁，也是第二次赴利马出席 中国教育报-中国教育新闻网讯（记者 焦以璇）近日，上海师范大学天华学院举办第四届基础教育论坛，论坛以“战位铸魂，讲台育才：‘兵教师’师范生培养创新”为主题，展现了学院培养高质量“兵教师”的成果 。本文链接：碳纳米管/硅异质集成的三维互补式场效应晶体管技术提出http://www.sushuapos.com/show-12-1089-0.html
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