近日，中国科学院微电子研究所研究人员基于自主研发的垂直沟道技术，研发出优于互补场效晶体管架构（CFET）的单片集成互补垂直沟道晶体管结构（CVFET）。
该架构制造工艺采用与CMOS制造工艺兼容的双侧面技术，通过两步外延工艺分别控制纳米片沟道厚度和栅极长度，实现n型和p型纳米片晶体管的上下堆叠和自对准一体集成。CVFET具有如下电学特性：上下层器件亚阈值摆幅分别为69 mV/dec和72 mV/dec，漏致势垒降低分别为12 mV/V和18 mV/V，电流开关比分别为3.1×106和5.4×106。CVFET的CMOS反相器可实现正常的信号相位反转功能，在1.2 V电源电压下，反相器增益为13 V/V；在0.8 V工作电压下，高电平噪声容限和低电平噪声容限分别为0.343 V和0.245 V。
相关研究成果发表在IEEE Electron Device Letters上。研究工作得到国家自然科学基金和中国科学院战略性先导专项（A类）等的支持。
论文链接
(a) 单片集成CVFET器件架构图； (b)单片集成CVFET器件的TEM截面图和（c-f）EDX元素分布图
复旦大学基础医学院、脑科学研究院、脑功能与脑疾病全国重点实验室教授刘星、马兰合作，发现小鼠脑内基底外侧杏仁核（BLA）神 日前，教育部印发通知，部署各地各高校抢抓秋招关键期，于11月至12月集中开展2025届高校毕业生“秋季校园招聘月”系列活动。 本次活动以“协同联动拓岗位 凝心聚力促就业”为主题，将在全国范围内深入开展人才专场招 中国教育报-中国教育新闻网讯（记者 尹晓军 通讯员 赵明）“The Gansu Jiandu Museum is China`s only provincial level museum focusing on bamboo and wooden slips”……翰墨著竹帛，一笔越千 中国教育报-中国教育新闻网讯（记者 欧媚）11月11日，北京工业职业技术学院职教出海研究中心成立仪式暨《职业中文教育学刊》学术研讨会举行。该中心将围绕推动“一带一路”教育共同体建设，探索与企 中国教育报-中国教育新闻网讯（记者 李澈）日前，由中国教育国际交流协会主办，中智国际教育承办的“央企赋能 探索职教出海产教融合新路径”论坛在京举办。作为第25届中国国际教育年会的重要组成部 中国教育报-中国教育新闻网讯（通讯员 张迎春 陈卫炉 记者 李柯）11月2日，由长三角职业教育产科教创新联盟与奉贤区科学技术协会共同主办的“长三角新质生产力与绿色智造学术研讨会暨2024长三角职 。本文链接：科研人员研发出互补单晶硅垂直沟道晶体管架构http://www.sushuapos.com/show-12-1746-0.html
声明：本网站为非营利性网站，本网页内容由互联网博主自发贡献，不代表本站观点，本站不承担任何法律责任。天上不会到馅饼，请大家谨防诈骗！若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。