1983年，旭化成微电子株式会社（总公司：东京都千代田区、法定代表人总经理：篠宫秀行、以下简称"旭化成微电子"）实现了薄膜高灵敏度霍尔元件的商业化，其特点是将薄膜锑化铟（InSb）夹置于磁性材料铁氧体基板与铁氧体芯片之间，集中磁通量，从而大幅提升灵敏度；同时，采用巧妙的电极结构与金丝球焊工艺，成功实现了高灵敏度、高可靠性、优异的温度稳定性以及量产能力。这些特性使大规模生产成为可能，并极大促进了磁传感器在各个领域的广泛应用。
这项于1983年实现的"薄膜霍尔元件商业化"近日荣获电气电子工程师学会（Institute of Electrical and Electronics Engineers、总部位于美国新泽西州、以下简称"IEEE"）授予的IEEE里程碑奖。
IEEE里程碑奖由IEEE于1983年设立，旨在表彰电气电子这一广泛领域的划时代创新成果。这些成果需在开发完成后至少经过25年以上的时间验证，并对社会和产业发展做出了巨大贡献，具备公认的历史价值。
该薄膜高灵敏度霍尔元件主要应用于无刷电机，并广泛搭载于录像机、软盘驱动器、CD-ROM和散热风扇等众多电子设备，在全球市场得到广泛普及。1983年推出的HW系列，标志着采用薄膜霍尔元件在实现磁传感器量产化领域迈出了第一步，为此后的技术发展与应用拓展奠定了基础。薄膜霍尔元件在保持基本结构不变的同时持续提升性能，使原本主要用于工业领域的磁传感器实现小型化和大规模生产，从而成功拓展至家用电子产品领域。
基于该技术开发的霍尔传感器产品群（包括霍尔元件、霍尔IC等）截至2025年，累计出货量已超过500亿颗。如今，该技术已被广泛视为全球电子设备所搭载的磁传感器领域的标准技术之一。
以此次获奖的霍尔元件量产技术为基础，旭化成微电子不断将磁传感器的应用拓展至精密位置检测、电流传感器等新型传感领域，为提升手机摄像头性能（如防抖、自动对焦性能提升）以及延长电动汽车续航里程等数字设备与出行领域的高性能化做出了贡献。该量产技术不仅用于霍尔元件，也被广泛应用于红外传感器、LED等多种器件。
"自1983年实现商业化以来，我们的薄膜高灵敏度霍尔元件作为长期支撑广大客户产品与事业的技术，得到了灵活应用。谨向一直以来信赖并使用本公司技术的所有客户，以及在长期生产过程中给予我们巨大支持的供应商等各位利益相关方，致以诚挚的感谢。"旭化成微电子株式会社执行官竹原聪表示,"此次获得IEEE里程碑奖，对我们来说是一种新的激励。今后，本公司将继续致力于保持并提升产品的质量与可靠性，让客户能够放心长久地使用。同时我们将积极应对不断变化的市场与社会需求，持续推进技术开发，从而创造出新价值。"（咸宁新闻网）
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