2026年，全球功率半导体行业正迎来新一轮的结构性高景气周期。随着AI算力爆发、新能源汽车渗透率持续攀升以及清洁能源的加速转型，多赛道共振催生了对高端功率器件的强劲需求。与此同时，全球供应链面临产能扩张有限与上游原材料成本上涨的双重考验，行业供需格局持续向好，迎来了“量价齐升”的历史性窗口期。
在这一行业拐点与国产替代加速的关键节点，7月1日，备受瞩目的2026慕尼黑上海电子展（electronica China）在上海新国际博览中心盛大启幕。作为国内功率半导体IDM（垂直整合制造）模式的前沿企业，扬杰科技以全新姿态亮相N5馆625展位，向业界全面呈现了其在第三代半导体及高端功率器件领域的系统性解决方案与前沿技术布局。
此次参展，扬杰科技打破传统产品陈列模式，围绕新兴行业、汽车电子、工控与清洁能源三大核心赛道设立专属分展台，通过场景化展示与深度技术论坛，精准回应了当下市场对高功率密度、高能效及高可靠性功率器件的迫切需求。
聚焦新兴赛道，构筑AI与具身智能算力底座
在新兴行业展区，扬杰科技精准锚定AI数据中心、具身智能与低空经济三大高增长领域。针对AI服务器电源与HVDC供电架构，公司重点展出了自研自造的SiC MOSFET产品。该系列产品凭借低导通电阻（Rdson）、低栅极电荷（Qg）及高dv/dt抗扰度等优异特性，有效支撑了供电系统由传统硅基MOSFET向碳化硅（SiC）的技术演进。此外，面向具身智能领域的人形机器人关节模组与BLDC电调应用，扬杰科技推出了基于自研8英寸/12英寸MOSFET芯片平台的高功率密度方案，在电池电压波动、散热受限等严苛工况下仍能保持高鲁棒性，为电机驱动系统提供了高可靠性的产品级设计保障。
深耕汽车电子，提供800V高压平台全链条国产化配套
汽车电子作为扬杰科技当前最核心的增长引擎，在本次展会上得到了集中展示。展台重磅推出了1200V车规级SiC MOSFET、新一代TO-247-4L封装车规IGBT及TOLT系列车规MOSFET等主力产品。其中，1200V SiC MOSFET开关损耗较同类竞品降低30%以上，且全系列已完成严苛的AEC-Q101车规认证；TO-247-4L IGBT则专为800V整车PTC加热器打造，具备优异的短路耐受能力与热稳定性。围绕整车核心场景，扬杰科技构建了涵盖车外照明、BMS电池管理、电机控制、车载电源电控及PTC加热器控制系统的一站式解决方案，展现了其IDM模式在车规级供应链中的强大交付与协同能力。
赋能工控与清洁能源，加速高端功率模块进口替代
在工控与清洁能源展区，扬杰科技依托IDM自研工艺优势，推出了兼顾工业高可靠工况与新能源整机高效率需求的整机解决方案。在工业控制端，主推650V-1700V全系列IGBT模块，多封装形式可直接实现进口替代；在清洁能源端，针对光伏逆变器、充电桩及焊机方案，核心搭载1200V低阻SiC MOS、三电平IGBT与高压整流/FRED器件，通过SiC方案显著降低开关损耗，助力系统效率提升。
思想碰撞，深度解读行业趋势与技术演进
展会期间，扬杰科技通过多场高规格技术论坛输出了深度的行业洞察。在储能领域，业界正加速向高效光储方案演进，宽禁带半导体（如SiC）凭借低损耗特性，正推动储能系统效率突破98%的瓶颈。在汽车电子领域，智能座舱正成为分立器件的新高地，小型化、高集成与低功耗成为核心选型逻辑，器件厂商需从市场趋势到量产实践提供完整的参考地图。在AI算力领域，数据中心正演化为以液冷GPU集群为核心的高功率密度算力工厂，单机柜功率飙升驱动供电架构重构，传统硅基器件逐渐逼近极限，SiC与GaN成为支撑万卡级集群稳定供电与降低PUE的关键基石。
纵观本次慕尼黑上海电子展，扬杰科技的参展逻辑清晰且极具战略纵深。在当前功率半导体行业迎来结构性复苏、车规与SiC赛道持续高景气的背景下，扬杰科技通过三大行业专属展台的场景化演绎，不仅向外界展示了其从芯片设计、晶圆制造到封装测试的全产业链技术实力，更印证了其向高端化、国际化转型的坚定步伐。随着AI算力、800V高压平台及清洁能源需求的持续爆发，扬杰科技正以IDM模式的深厚壁垒，在国产替代与全球竞争中构筑起坚实的增长引擎。（咸宁新闻网）
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