图源：图虫创意
来源|时代商业研究院
作者|孙华秋
编辑|韩迅
3月25—27日，由国际半导体产业协会（SEMI）主办的SEMICON China 2026在上海新国际博览中心盛大举行。作为全球规模最大、产业链覆盖最完整、行业影响力顶尖的半导体年度盛会，本届展会以“跨界全球，心芯相联”为主题，展览面积突破10万平方米，汇聚超1500家海内外半导体领军企业，聚焦AI算力、存储周期上行、国产化三大核心主线，全方位集中展示半导体设备、关键材料、先进封测全链条前沿技术与规模化产能解决方案。
当前全球存储市场正式迈入涨价超级周期，HBM高带宽内存全年产能已提前售罄，成为AI算力爆发浪潮下的核心稀缺资源。三星、美光、长江存储、长鑫存储等全球头部存储厂商，同步加速产能扩张与制程迭代升级，直接拉动上游设备、关键材料需求迎来爆发式增长；下游先进封测赛道也随之升温，行业整体订单饱满、产品交期持续延长、市场报价稳步上调，全产业链景气度持续攀升。
在本届展会上，存储全产业链配套成为全场核心看点之一，国内半导体设备、关键材料、先进封测等各细分领域龙头企业悉数亮相，携自主研发的核心产品、前沿技术成果与成熟产业化方案同台竞技，全面展现国产半导体产业链的配套实力与创新活力。
存储扩产拉动需求，国产设备批量亮相
存储芯片先进制程持续迭代、头部厂商产能大规模扩张，直接带动3D NAND高深宽比刻蚀、晶圆精密切割、清洗检测、薄膜沉积等核心工艺设备需求迎来刚性增长，本土设备企业在成熟制程制造装备、封测设备领域的国产化突破，成为本届SEMICON China 2026展会最受关注的核心亮点。
根据SEMI及产业数据，2026年全球存储产值将突破5500亿美元，有望首次超过晶圆代工规模，成为半导体产业第一增长极。其中，作为AI算力核心支撑的HBM（高带宽内存）市场规模将同比大涨58%，达到546亿美元，占DRAM整体市场规模的近四成，成为拉动存储产业链上行的核心动力。
受益于国内半导体产业链国产化进程全面提速，本土设备企业在存储封测、成熟制程制造设备领域的市场渗透率已实现大幅提升，逐步实现关键设备的自主可控。
在本届展会上，北方华创（002371.SZ）、盛美上海（688082.SH）、中微公司（688012.SH）、拓荆科技（688072.SH）等国内头部半导体设备企业悉数亮相，纷纷发布重磅新品和技术成果，集中展现国产半导体设备的技术突破与产业化落地能力。
作为国内晶圆制造设备全平台龙头，北方华创本次展会带来多款重磅新品，凭借顶尖技术实力吸引大量观众与客户驻足观摩。其全新发布的12英寸NMC612H ICP刻蚀设备，将刻蚀精度推向埃米级，实现小尺寸开口下数百比一的高深宽比刻蚀能力；Qomola HPD30混合键合设备实现纳米级对准精度，全面覆盖HBM、Chiplet、3D DRAM等存储3D集成场景；同时展出的还有Ausip T830 TSV电镀设备、90:1高深宽比深孔刻蚀设备及新一代高能离子注入机等产品，匹配存储芯片扩产与制程升级的设备需求。
盛美上海在展会期间完成品牌战略焕新，正式推出全新产品组合架构“盛美芯盘”八大产品系列，同时展出多款专为存储芯片制造与封测环节打造的核心设备，针对性解决半导体产业链工艺痛点。其中地球系列清洗设备中的Ultra C vac-p面板级负压清洗设备，专为先进存储封装、FOPLP等前沿场景量身设计，支持多规格面板尺寸适配，可满足下一代高端存储器件的规模化量产需求。
屹唐股份（688729.SH）作为国内核心半导体前道设备厂商，也在展会现场同步展示核心产品与布局成果。针对行业普遍关注的上游贵金属等原材料涨价问题，屹唐股份现场工作人员表示，“当前公司暂未面临明显的原材料涨价压力”。谈及海外业务布局，该工作人员介绍，该公司已在海外设立专属研发与生产基地，海外市场业务拓展与经营态势整体保持稳定，全球化布局成效逐步显现。
芯碁微装（688630.SH）是国内半导体直写光刻设备领域的核心供应商，其核心产品广泛应用于先进封装、MEMS、功率器件、掩膜版等关键领域。据芯碁微装现场工作人员介绍，“AI芯片对先进封装设备的需求拉动较大，公司相关订单预计比去年多一些”。
先进封测迎产业风口，头部企业竞逐高端赛道
存储涨价带来的产业红利持续向封测环节传导，叠加AI算力与高端存储芯片协同封装需求集中爆发，HBM高带宽内存封装、Chiplet异构集成、凸块制造、车规级存储封测等赛道成为本届展会焦点，本土封测龙头及细分标杆企业纷纷推出定制化解决方案。
市场研究机构Yole数据显示，先进封装已成为驱动半导体市场增长的核心力量。2024年全球先进封装市场规模达460亿美元，同比增长19%；预计2030年将突破794亿美元，2024—2030年复合年均增长率达9.5%，AI与高性能计算需求是核心驱动力。
当前芯片产业正从制程微缩转向原子级封装新时代，长电科技（600584.SH）CEO郑力在展会论坛发表主旨演讲时提出，以原子级工艺革新重构芯片制造逻辑，为AI算力革命筑牢底层支撑。郑力指出，传统晶圆制造已逼近1nm物理极限，成本与量子隧穿效应构成显著瓶颈，原子级封装正成为后摩尔时代的核心突破路径。依托ALD原子层沉积、混合键合等四大核心技术，长电科技实现封装精度跨量级提升：对准精度从±5μm推进至＜10nm，互联密度突破6万触点/mm²，界面间隙达到原子级无间隙，完成三个数量级的技术跨越。
在先进封装赛道，通富微电（002156.SZ）、华天科技（002185.SZ）、甬矽电子（688362.SH）等头部企业集中展出多项重磅技术成果。其中，通富微电重点展示HBM封装、Chiplet异构集成技术，相关方案已实现量产，并配套全球头部存储及算力芯片厂商。
此外，江丰电子作为全球高纯溅射靶材龙头，展出超高纯铝、钛、钽、铜靶材及半导体精密零部件，产品全面覆盖逻辑芯片存储芯片制造全流程，已向国内外头部厂商供货。
在存储涨价周期与AI算力需求双重驱动下，国内半导体设备、材料及先进封测企业正从单点技术突破，迈向全链条协同、技术联动、产能配套的系统化升级，并在高端靶材、先进封装工艺、存储专用设备等传统短板领域接连实现关键突破，本土产业链自主可控能力持续增强。
（全文2398字）
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