近日,国产DRAM龙头企业长鑫科技的科创板IPO招股说明书正式披露,成为A股市场年内最受瞩目的硬科技上市案例之一。在当前全球AI算力竞争加剧、需求爆发式增长的背景下,长鑫的工程能力承载着打通国产存储芯片“设计-制造-封测”全链条、带动产业链整体升级的重任,正在赋能整个产业生态的升级。
“跳代研发”策略下,“双芯”性能达到国际领先水平
DRAM行业素有“半导体产业皇冠上的明珠”之称,技术壁垒极高、投资规模巨大、回报周期漫长,长期由三星、美光、SK海力士三大国际巨头主导全球市场。长鑫科技秉持“跳代研发策略”,摒弃技术门槛更低的落后制程,选择高难度起步路径,第一款产品便直接切入主流DDR4标准,从源头锚定与国际巨头同台竞争的赛道。
招股书显示,长鑫科技采用“跳代研发”策略,2019年9月首次推出自主设计生产的8Gb DDR4产品,实现国产DRAM“从零到一” 的突破;2025年年底先后推出LPDDR5X和DDR5最新产品,其中LPDDR5X系列产品速率突破10667Mbps,较上一代提升 66%,满足高端智能手机、平板等移动终端对高速率、低功耗的需求,首款国产DDR5产品速率高达8000Mbps,单颗最大容量24Gb,广泛适配PC、服务器及数据中心等领域,两款核心产品性能均达到国际先进水平。
研投人才双驱:筑牢技术护城河
半导体产业的竞争,本质上是研发投入与人才储备的竞争。长鑫科技始终坚持高强度研发投入,为技术创新和产品迭代提供坚实支撑。招股书披露,2022年至2025年上半年,公司累计研发投入达188.67亿元,占累计营收的33.11%,2025年上半年研发费用率更是达到 23.71%,远高于同期行业平均水平,彰显出企业深耕技术、追赶超越的坚定决心。
人才是技术创新的核心驱动力。长鑫科技组建了由4653名研发人员构成的核心团队,占员工总数超30%,研发投入与人才储备的持续加码,转化为专利数量与质量的双重突破。截至2025年6月30日,长鑫科技共拥有5589项专利,其中境内专利3116项、境外专利2473项,在2024年美国专利授权排名中位列全球第42位,在所有上榜中国企业中排名第4,构建起坚实的技术护城河。
凭借过硬的产品性能与可靠性,长鑫科技已与阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音等行业头部客户建立长期稳定的合作关系,获得行业高度认可,同时构建起稳定的市场基础,为企业持续发展注入动力。
产业协同赋能:引领国产产业链正向循环
DRAM作为集成电路产业发展的战略基础性产品,是数字经济时代的核心芯片之一,更是国家信息基础设施战略安全的重要基石。中国作为全球主要DRAM消费市场之一,本土自给率长期偏低,产业发展空间极为广阔。浙商证券表示,2026年全球半导体市场预计将继续增长9%至7607亿美元,在AI驱动下行业景气度高企。中国晶圆厂产能利用率回升,扩产意愿强烈,叠加AI驱动存储超级周期以及国产化率提升趋势,国内先进逻辑与存储扩产有望共振,带动半导体设备需求持续向上。长鑫科技的进一步发展,不仅有望成功填补国产DRAM的市场空白,也或可凭借不断提升的核心竞争力,跻身全球DRAM核心主赛道,打破国际巨头的长期垄断格局。
国开证券研报指出,长鑫存储IPO的产业意义,并不局限于单一企业融资,而在于其推动DRAM产业由“点状突破”向“体系化推进”演进。长鑫竞争实力的进一步提升,意味着产业链协同正在进入更深水区,对上游设备与材料环节等拉动也将更具持续性。这种产业协同效应将推动整个半导体板块迎来估值修复与业绩兑现的双重行情,加速实现国产半导体产业链的自主可控与正向循环。（咸宁新闻网）
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