近日,首届集微存储论坛在上海张江举行。与会嘉宾认为,2025年至2027年供需比整体处于供不应求状态,存储芯片涨价趋势有望持续,2027年或成为观察价格趋势的转折之年。但需提及的是,2026年第二季度的存储价格涨幅环比有所收窄,短期可能面临盘整。
值得注意的是,AI算力增长由云端训练加速转向端侧推理,为具有低功耗、快速响应优势的利基型存储(包括小容量DDR3/DDR4、NOR Flash、SLC NAND、EEPROM等)带来新机遇。叠加三星、SK海力士等国际巨头纷纷将产能转向高毛利的HBM(高带宽存储)等产品,相关国产芯片公司有望迎来新增长。
端侧AI成新驱动力,2027年或为价格转折年
自2025年下半年起,全球存储芯片行业迎来涨价潮,DRAM价格指数已上涨约10倍,相关公司业绩与股价齐飞,SK海力士、美光等相关公司股价大幅上涨。
长城证券产业金融研究院科技首席分析师唐泓翼在演讲中表示,本轮AI驱动的存储芯片上涨为“20年未遇”的大行情,其背后的核心驱动力在于供需错配。
存储芯片是典型的周期性行业。唐泓翼表示,尽管本轮存储芯片价格上涨势头强劲,但投资者仍须保持冷静。当前,服务器存储在整体存储市场的占比已从过去的20%提升至40%。未来,随着端侧AI模型成熟,AI手机、AI PC等端侧AI,有望驱动下一轮存储需求继续增长。
端侧AI市场已经开始吸引巨头进入。6月1日,英伟达发布了面向Windows PC的新款处理器芯片RTX Spark,该芯片将采用台积电3nm工艺生产,目标是彻底重塑个人电脑。英伟达透露,今后英伟达将随每一代AI处理器同步推出新一代PC芯片。今年秋季起,戴尔、联想等主流PC品牌将陆续推出搭载RTX Spark超级芯片的笔记本及台式机。
唐泓翼表示,据测算,2025年至2027年供需比整体处于供不应求状态,存储芯片涨价趋势有望持续。但是,2027年或成为观察价格趋势的转折之年。
“目前SLC NAND(单层单元存储)缺货严重,主因是海外大厂产能转向HBM等高毛利产品,叠加晶圆供应受限,缺货预计将持续至2027年。”兆易创新Flash市场部经理丁冲表示。
国产存储产业链迎来发展新机遇
AI需求旺盛之下,三星、SK海力士等国际大厂纷纷将产能转向高毛利的HBM(高带宽存储)等产品,产能挤压之下,传统存储芯片价格也接连上涨。叠加AI推理侧需求持续增长,中国存储产业链迎来新发展机遇。
丁冲表示,AI正推动计算从云端集中向边缘协同转变。云端需要HBM、DDR5(双倍速率同步动态随机存储器)及企业级SSD(固态硬盘)等高端内存。端侧则要求低功耗与快速响应,这驱动LPDDR(低功耗双倍数据速率内存)和NOR Flash(闪存)需求大增;未来三年,全球利基型存储市场将显著增长。
面对AI时代机遇,聚辰股份选择深耕中小容量存储的细分应用领域——汽车电子。聚辰股份市场总监柯于宝表示,在先进制程下,公司车规级芯片面积和功耗双降30%,性能提升20%。目前,公司车规级芯片已导入全球300家Tier1(车企一级供应商)客户,并与中芯国际共建国内首条车规级晶圆测试产线。
联芸科技总经理助理陆胤桦表示,2022年至2026年,AI演进驱动存储需求经历了从大模型训练到“算—存—网”一体化的跃迁,存储正从“数据仓库”升维为“计算单元”,存算网一体化是确定性发展方向。也正因此,存储控制技术面临三大结构性挑战:架构需从被动响应转向主动预判,功耗管理需从静态策略转向动态效能,纠错码(ECC)需从基础容错迈向强可靠性保障。
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