韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合研究团队成功开发出一种新型半导体结构，使电流在二维材料中能够无阻碍地流动。这一成果突破了长期困扰芯片行业的“电气瓶颈”，有望大幅降低下一代半导体器件的接触电阻，为人工智能芯片、超低功耗半导体等领域提供关键技术支撑。
在半导体器件中，金属电极与半导体接触的界面会产生接触电阻，导致性能下降和功率损耗。随着芯片尺寸不断缩小，这一问题愈发突出，被视为制约下一代半导体发展的主要技术瓶颈之一。传统方法只能将金属电极直接附着在半导体表面，但仍然难以彻底消除界面电阻。这可以理解为电流从金属流进半导体时，中间横着的一道“能量小坡”，也就是业内所说的势垒。在普通硅芯片里，换个合适功函数的金属能把坡削低一点。但在单层二维材料这种原子级厚度的体系里，材料本身的缺陷态会把费米能级“钉”在原处，导致换金属电极后那道“坡”的高度也几乎纹丝不动，接触电阻因此长期降不下来。
此次研究团队另辟蹊径，在单层二硒化铂（PtSe2）薄膜（仅一两层原子厚的二维材料）内部，连续构建出半金属区域和半导体区域，并使两种区域在同一材料内自然衔接。这种一体化结构避免了不同材料界面的突变，从而让电流能够平滑地从半金属区流向半导体区，不再受界面阻挡。
为验证这一设计，团队利用原子力显微镜在纳米尺度上直接观测薄膜内部的电荷输运行为。结果显示，当电流穿越半金属与半导体之间的边界时，流动连续、稳定，未出现路径阻塞或弯曲现象。这是首次实验直接证明单片接口不会干扰电流流动。此外，通过对半导体区域施加电场，团队成功控制了电流的通断，证实该结构具备实际器件操作能力。
该研究相关论文已发表于最新一期《细胞》旗下《Matter》。研究团队表示，这项技术为基于二维材料的下一代半导体提供了降低接触电阻的源头方案。
广东省科学院生态环境与土壤研究所研究员刘芳华团队在电能微生物和水铁矿促进产氢机制方面取得新进展。近日，相关成果先 近日，网红考研名师张雪峰在直播中称“所有文科都叫服务业”，总结起来就是“舔”，引发坊间热议；之后，他在致歉回应中称“ 面对以大模型通用人工智能为代表的新技术，以及由此带来的工业界、产业界的新发展新模式，MBA人才教育何去何从？ 12月1日，在清 习近平总书记强调，要加大应用基础研究力度，以推动重大科技项目为抓手，打通“最后一公里”，拆除阻碍产业化的“篱笆墙”，疏通 ? ? 2023年12月28日，陕西省审计厅在官网发布《2023年第9号审计结果公告》，其中西北大学2019年度预算执行及财务收支情况审计 。本文链接：特殊结构让电流在二维材料中无阻碍流动http://www.sushuapos.com/show-11-36474-0.html
声明：本网站为非营利性网站，本网页内容由互联网博主自发贡献，不代表本站观点，本站不承担任何法律责任。天上不会到馅饼，请大家谨防诈骗！若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。
上一篇： 生物学家阐明EB病毒触发多发性硬化症机制
下一篇： 用AI统计行星科学数据靠谱吗