国产存储芯片龙头兆易创新成功登陆香港交易所主板，完成了“A+H”双资本平台的战略布局。2025年12月30日，长鑫科技向上交所科创板提交的IPO申请已获受理，拟募集资金高达295亿元。
1月13日，国产存储芯片龙头兆易创新成功登陆香港交易所主板。上市首日，其股价报收222.8港元，较发行价大幅上涨37.53%，市值跃升至1552亿港元，这标志着公司完成了“A+H”双资本平台的战略布局。1月14日收盘时，股价报222.8港元，最新市值1567.72亿港元。
根据兆易创新此前公告，公司在港股上市募得款项净额为46.10亿港元。其中约40%将用于持续提升研发能力；约35%将用于战略性行业相关投资及收购；约9%将用于全球战略扩张及加强全球影响力，包括加强全球营销及服务网络。
存储芯片龙头登陆港股，卡位国产化关键赛道
兆易创新成立于2005年，是一家采用无晶圆厂（Fabless）模式的集成电路研发与设计公司。公司产品线覆盖闪存（NOR Flash、SLC NAND Flash）、利基型动态随机存取存储器（DRAM）、微控制器（MCU）以及模拟与传感器芯片，广泛应用于消费电子、汽车、工业、物联网等核心领域。
兆易创新已成为中国存储芯片设计领域的龙头。根据弗若斯特沙利文的数据，2024年，公司在全球NOR Flash市场占据18.5%份额，位列全球第二、中国内地第一；在SLC NAND Flash领域排名全球第六、中国内地第一。在由海外巨头主导的利基型DRAM和全球MCU市场，兆易创新分别在全球排名第七和第八，在中国内地市场则处于领跑地位。
自2016年在上交所主板上市后，兆易创新持续成长，营收方面十年（2015年到2024年）复合增长率约为22.45%。2025年第三季度财报显示，其营业总收入达68.32亿元，同比增长20.82%；归母净利润为10.83亿元，同比增长30.18%。
兆易创新业绩的爆发，与全球存储市场的结构性变化紧密相关。随着人工智能浪潮推动高带宽内存（HBM）需求激增，国际存储巨头将产能向高端产品倾斜，导致DDR等成熟制程的利基型DRAM供给收缩。兆易创新凭借其涵盖DDR3L、DDR4、LPDDR4等产品的利基DRAM矩阵，抓住了这一市场窗口期。
去年10月，兆易创新在投资者关系活动中表示，利基型DRAM及定制化存储业务受益于行业供给紧缩与AI需求爆发，市场回暖时点超预期，预计未来2年供应仍处相对紧张状态。公司称，该业务2025年营收有望实现同比50%增长，“展望未来5年，对于国内30亿-40亿美金的利基DRAM市场，我们的目标仍是取得至少三分之一的份额。”
兆易创新还表示，公司Flash业务同样受益于存储周期的改善，公司SLC NAND产品和NOR Flash均有涨价。从长期来看，公司将继续推动NOR Flash在工业、汽车、端侧AI和海外市场市占率的提升，并坚持全球化布局，包括海外供应链的布局。
中银证券认为，伴随AI驱动DRAM需求提振及国产DRAM厂商融资进程提速，国内DRAM全产业链有望实现加速成长。
创始人朱一明旗下长鑫科技也在冲刺科创板
兆易创新的崛起，与其创始人朱一明的战略眼光密不可分。据公开资料，朱一明1994年从清华大学物理系毕业后，便前往美国深造并进入硅谷工作。2005年，其回到北京在中关村创立了兆易创新。
朱一明锚定 NOR Flash 作为核心业务切入点。彼时这一市场正被外企和台企牢牢垄断，兆易创新凭借独特的双晶体管设计，大幅降低了芯片功耗，成功打开市场。2008年前后，行业格局进一步发生变化，三星电子因NOR Flash业务盈利空间收窄选择战略性退出，飞索半导体（Spansion）则受金融危机冲击陷入破产困境。
在供应收缩的情况下，国内中低端电子市场对NOR Flash仍有大量需求，这也让兆易创新获得了本土市场的机会。2016 年，兆易创新以23.26 元/股的发行价成功登陆A股资本市场。
在兆易创新上市的同一年，朱一明便将眼光投向DRAM领域，实际上，DRAM的市场空间远大于NOR Flash，但当时这一领域国产化率极低，且技术壁垒极高。
2016年，朱一明与合肥市政府携手，联合产业资本创立了长鑫科技。为了全力攻克DRAM量产难关，朱一明在2018年辞去兆易创新总经理职务，仅保留董事长职位，同时亲自出任长鑫科技董事长兼CEO，开启了“二次创业”。
随后五年里，朱一明将全部精力投入到合肥的晶圆厂，带领长鑫科技完成了在DRAM领域从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，产品覆盖DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等。
长鑫科技也为兆易创新提供了稳定的DRAM产品制造保障，目前，双方形成了“设计+制造”的协同模式。双方合作主要包括两方面：一是长鑫科技为采用Fabless模式的兆易创新提供DRAM产品代工服务；二是在市场拓展初期，长鑫科技通过兆易创新的渠道销售部分DRAM产品。随着长鑫科技自身销售体系的完善，经销合作已于2023年下半年停止。
朱一明的前瞻布局正迎来收获期。长鑫科技2025年前三季度营收高达320.84亿元，同比增长97.79%。受持续的研发和产能爬坡投入影响，公司归母净利润仍为亏损，但亏损幅度已显著收窄，在DRAM产品市场价格上涨、产销规模持续提升等因素的带动下，长鑫科技第三季度单季扣非净利润同比大增174%，毛利率提升至35%。
更为重要的是，2025年12月30日，长鑫科技向上交所科创板提交的IPO申请已获受理，拟募集资金高达295亿元。若成功上市，其估值预计将超过1500亿元，有望成为中国半导体产业又一家千亿级巨头。
国产存储芯片龙头兆易创新成功登陆香港交易所主板，完成了“A+H”双资本平台的战略布局。2025年12月30日，长鑫科技向上交所科创板提交的IPO申请已获受理，拟募集资金高达295亿元。
1月13日，国产存储芯片龙头兆易创新成功登陆香港交易所主板。上市首日，其股价报收222.8港元，较发行价大幅上涨37.53%，市值跃升至1552亿港元，这标志着公司完成了“A+H”双资本平台的战略布局。1月14日收盘时，股价报222.8港元，最新市值1567.72亿港元。
根据兆易创新此前公告，公司在港股上市募得款项净额为46.10亿港元。其中约40%将用于持续提升研发能力；约35%将用于战略性行业相关投资及收购；约9%将用于全球战略扩张及加强全球影响力，包括加强全球营销及服务网络。
存储芯片龙头登陆港股，卡位国产化关键赛道
兆易创新成立于2005年，是一家采用无晶圆厂（Fabless）模式的集成电路研发与设计公司。公司产品线覆盖闪存（NOR Flash、SLC NAND Flash）、利基型动态随机存取存储器（DRAM）、微控制器（MCU）以及模拟与传感器芯片，广泛应用于消费电子、汽车、工业、物联网等核心领域。
兆易创新已成为中国存储芯片设计领域的龙头。根据弗若斯特沙利文的数据，2024年，公司在全球NOR Flash市场占据18.5%份额，位列全球第二、中国内地第一；在SLC NAND Flash领域排名全球第六、中国内地第一。在由海外巨头主导的利基型DRAM和全球MCU市场，兆易创新分别在全球排名第七和第八，在中国内地市场则处于领跑地位。
自2016年在上交所主板上市后，兆易创新持续成长，营收方面十年（2015年到2024年）复合增长率约为22.45%。2025年第三季度财报显示，其营业总收入达68.32亿元，同比增长20.82%；归母净利润为10.83亿元，同比增长30.18%。
兆易创新业绩的爆发，与全球存储市场的结构性变化紧密相关。随着人工智能浪潮推动高带宽内存（HBM）需求激增，国际存储巨头将产能向高端产品倾斜，导致DDR等成熟制程的利基型DRAM供给收缩。兆易创新凭借其涵盖DDR3L、DDR4、LPDDR4等产品的利基DRAM矩阵，抓住了这一市场窗口期。
去年10月，兆易创新在投资者关系活动中表示，利基型DRAM及定制化存储业务受益于行业供给紧缩与AI需求爆发，市场回暖时点超预期，预计未来2年供应仍处相对紧张状态。公司称，该业务2025年营收有望实现同比50%增长，“展望未来5年，对于国内30亿-40亿美金的利基DRAM市场，我们的目标仍是取得至少三分之一的份额。”
兆易创新还表示，公司Flash业务同样受益于存储周期的改善，公司SLC NAND产品和NOR Flash均有涨价。从长期来看，公司将继续推动NOR Flash在工业、汽车、端侧AI和海外市场市占率的提升，并坚持全球化布局，包括海外供应链的布局。
中银证券认为，伴随AI驱动DRAM需求提振及国产DRAM厂商融资进程提速，国内DRAM全产业链有望实现加速成长。
创始人朱一明旗下长鑫科技也在冲刺科创板
兆易创新的崛起，与其创始人朱一明的战略眼光密不可分。据公开资料，朱一明1994年从清华大学物理系毕业后，便前往美国深造并进入硅谷工作。2005年，其回到北京在中关村创立了兆易创新。
朱一明锚定 NOR Flash 作为核心业务切入点。彼时这一市场正被外企和台企牢牢垄断，兆易创新凭借独特的双晶体管设计，大幅降低了芯片功耗，成功打开市场。2008年前后，行业格局进一步发生变化，三星电子因NOR Flash业务盈利空间收窄选择战略性退出，飞索半导体（Spansion）则受金融危机冲击陷入破产困境。
在供应收缩的情况下，国内中低端电子市场对NOR Flash仍有大量需求，这也让兆易创新获得了本土市场的机会。2016 年，兆易创新以23.26 元/股的发行价成功登陆A股资本市场。
在兆易创新上市的同一年，朱一明便将眼光投向DRAM领域，实际上，DRAM的市场空间远大于NOR Flash，但当时这一领域国产化率极低，且技术壁垒极高。
2016年，朱一明与合肥市政府携手，联合产业资本创立了长鑫科技。为了全力攻克DRAM量产难关，朱一明在2018年辞去兆易创新总经理职务，仅保留董事长职位，同时亲自出任长鑫科技董事长兼CEO，开启了“二次创业”。
随后五年里，朱一明将全部精力投入到合肥的晶圆厂，带领长鑫科技完成了在DRAM领域从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，产品覆盖DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等。
长鑫科技也为兆易创新提供了稳定的DRAM产品制造保障，目前，双方形成了“设计+制造”的协同模式。双方合作主要包括两方面：一是长鑫科技为采用Fabless模式的兆易创新提供DRAM产品代工服务；二是在市场拓展初期，长鑫科技通过兆易创新的渠道销售部分DRAM产品。随着长鑫科技自身销售体系的完善，经销合作已于2023年下半年停止。
朱一明的前瞻布局正迎来收获期。长鑫科技2025年前三季度营收高达320.84亿元，同比增长97.79%。受持续的研发和产能爬坡投入影响，公司归母净利润仍为亏损，但亏损幅度已显著收窄，在DRAM产品市场价格上涨、产销规模持续提升等因素的带动下，长鑫科技第三季度单季扣非净利润同比大增174%，毛利率提升至35%。
更为重要的是，2025年12月30日，长鑫科技向上交所科创板提交的IPO申请已获受理，拟募集资金高达295亿元。若成功上市，其估值预计将超过1500亿元，有望成为中国半导体产业又一家千亿级巨头。
记者3月18日从安徽明天氢能科技股份有限公司（以下简称明天氢能）获悉，国家电网近日向明天氢能及董事长王朝云分别授予科学技术进步奖一等奖，获奖项目为“大规模氢电一体化站关键技术、核心装备及 美国太平洋西北国家实验室的科学家设计了一种复合装饰材料，可以储存更多二氧化碳，提供了一种既符合建筑规范，又比标准复合饰面板便宜的“负碳”选择。研究人员于18日在美国化学会春季会议上公布 近日，我国“主要作物丰产增效科技创新工程”重点专项“优质双季超级稻丰产增效技术研发与集成示范”项目，在湖南岳阳宣布启动。据了解，该项目主要聚焦优质双季超级稻丰产增效技术研发，着力探明双 美国和法国的科学家联合团队借助新的3D打印技术，开发出一种多层人造皮肤，只需18天即可长成。这种仿真皮肤可用于提升护肤品测试效率，并催生更好的皮肤治疗方法。相关研究发表于新一期《先进功能 回望一加去年的整体节奏，如果要用一个词来总结其数字系列和Ace系列的概况，那就是“卷”！从外观质感、内存性能到整机体验，与友商的相互竞争中，一加表现的都比较强势，搭配清晰的产品定位策略和稳扎稳打 作为月之暗面的创始人，杨植麟常把他的AGI梦想形容为“登月计划”，长文本就是这个伟大计划的第一步。但现在，随着Kimi的爆火出圈，赛道瞬间变得拥挤，24小时内，阿里、360、百度紧急“出手”，纷 。本文链接：国产存储“双子星”浮现：兆易创新登陆港股，长鑫科技冲刺科创板http://www.sushuapos.com/show-2-14910-0.html
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