存储芯片爆发三星电子利润创纪录

发布时间: 2026-01-09 12:25:49 来源：北京商报

观看：129

1月8日，三星电子披露业绩数据，核实按合并财务报表口径计算的公司2025年第四季度营业利润同比大增208.2%，达到创纪录的20万亿韩元（约合138亿美元）。销售额同比增加22.7%，也创下历史新高。

三星电子业绩高增主要原因是供应紧张和AI驱动的需求激增推高了传统存储芯片的价格。三星是全球三大存储芯片供应商之一。

数据显示，去年第四季度三星电子营业利润为20万亿韩元（约合人民币964亿元），同比剧增208.2%，环比增加64.3%；销售额为93万亿韩元，同比增加22.7%，环比增加8.1%。两项业绩均高出市场预期。据统计，市场曾预测三星电子2025年四季度营业利润将同比增加202.6%，为19.6457万亿韩元；销售额将同比增加22.1%，为92.5445万亿韩元。

回溯历史数据，三星电子此前的单季营业利润峰值为2018年第三季度创下的17.6万亿韩元，此次20万亿韩元的业绩不仅打破了这一保持多年的纪录，更较上年同期的6.49万亿韩元实现翻倍以上增长。

三星计划于1月29日公布2025年第四季度正式财报，包括各业务部门的具体利润。目前，存储芯片价格依然在继续上涨中，且涨幅惊人。三星依然是受益者，会推高2026年年度的业绩。

AI服务器对存储芯片的需求量达到普通服务器的8至10倍。这导致高端存储芯片供应陷入严重短缺，引发价格“失控式”上涨。据TrendForce集邦咨询数据，自2025年9月以来，DDR5内存颗粒现货价格暴涨307%，DDR4涨幅也超158%，第四季度全球一般型DRAM价格季增8%—13%，若计入HBM则涨幅扩大至13%—18%；NAND Flash各类产品合约价全面上涨，平均涨幅达5%—10%。

作为全球最大的内存芯片制造商，三星电子通过产能结构优化抓住了这一轮涨价红利。公司大幅缩减消费级通用存储芯片的产能，将资源集中投向HBM、DDR5等高端高毛利产品的生产，尤其是在HBM领域实现关键突破。

三星电子此前在HBM领域一度落后于竞争对手SK海力士和美光科技，而目前这一差距正在缩小。受此影响，三星股价在2025年上涨了125%，创下26年来最大年度涨幅。

日前，韩国媒体《韩国经济日报》援引行业匿名人士消息，三星电子与SK海力士计划在2026年第一季度将服务器DRAM价格较2025年第四季度提升60%至70%。报道称，两家公司同时向个人电脑与智能手机DRAM客户提出了相近幅度的涨价方案。

上述报道称，两家公司此次提价策略基于对市场需求持续走强的预判。据悉，三星与SK海力士坚持采用季度合约而非长期协议，以灵活适应价格变动。

TrendForce最新调查也对今年一季度存储芯片价格做出了预判，传统DRAM合约价格环比上涨约55%至60%，NAND闪存产品类别的合约价格上涨33%至38%。

TrendForce还预计，2026年第一季度服务器DRAM的价格将环比上涨超过60%。

TrendForce表示，人工智能推理驱动的基础设施发展持续推动着美国通信服务提供商（CSP）的采购。自2025年底以来，这些公司一直在拉拢订单，从而增加了对服务器DRAM的需求。随着供应商库存接近枯竭，出货量增长完全依赖于晶圆产量的增加，供应紧张的局面持续加剧。

里昂证券韩国区研究主管Sanjeev Rana表示，2025年四季度，DRAM芯片的平均售价环比上涨超30%，NAND闪存的平均售价环比上涨了约20%。“超大规模数据中心运营商和云服务商正在大量采购DRAM，而且愿意支付溢价。”Rana表示，并补充称，强劲价格走势有望贯穿整个2026年，甚至延续至2027年上半年，“即便在那之后，价格也可能不会明显回落，因为市场需求过于强劲，而供应端则处于紧张状态”。

根据最新报道，三星电子已于2025年向英伟达交付其尖端的HBM4样品进行资格测试，公司也有望在2026年上半年开始大规模生产，以支持英伟达即将推出的Rubin处理器。CLSA预计，随着HBM4进入商业供应阶段，三星的HBM总出货量将在2026年增加两倍。

北京商报综合报道