功率半导体密集涨价！AI数据中心成最大推手 业内预计供需紧张短期难解
财联社5月13日讯(记者 王碧微)“近期产品价格上调了10%，所有类型产品类型都有涨价。”某国际功率半导体公司人士向财联社记者表示道。
这并非个例，2026年开年以来，功率半导体行业迎来一轮密集涨价潮。
英飞凌、德州仪器等海外厂商率先发布涨价函，国内厂商随后跟涨。其中，宏微科技(688711.SH)方面表示，已对部分IGBT提价约10%；捷捷微电(300623.SZ)MOSFET产品此前已上调10%-20%，IGBT产品自本月起上调10%-20%；新洁能(605111.SH)MOSFET产品自3月1日起上调10%起。
这轮涨价的核心推手是AI数据中心。
英飞凌在涨价函中明确表示，AI专用数据中心的部署导致多款功率开关及集成电路出现供应短缺。
在需求爆发的同时，全球8英寸成熟制程产能持续收缩，上游原材料和代工封测成本全线上涨，功率半导体正面临供需两端的挤压。
AI挤占8英寸产能 涨价潮短期难退
MOSFET是本轮涨价中最先告急的品类。
新洁能在涨价函中指出，上游原材料及关键贵金属价格大幅攀升，导致晶圆代工及封测成本持续上涨，公司MOSFET产品自2026年3月1日起价格上调10%起；捷捷微电MOSFET成品自2月1日起上调10%至20%，公司在投资者关系活动中表示，目前南通高端功率半导体器件产业化项目已实现约13万片/月产出，旨在缓解MOSFET产能紧张；芯联集成(688469.SH)也在今年一季度完成了对MOSFET产品的价格调整。
MOSFET率先提价，原因在于其对8英寸晶圆产能的消耗更大。
单台AI服务器对高压 MOSFET、电源管理 MOSFET 的需求更高，AI服务器对高压MOSFET需求大幅增长，加剧了8英寸产能的紧缺。
IGBT的涨价节奏略慢于MOSFET，但近期已经确立趋势。
Trendforce集邦咨询分析师王昊骏告诉财联社记者，部分海外龙头厂商及部分国产厂商已发出涨价通知，车规级硅基IGBT芯片涨幅约在10%至20%之间。
宏微科技证券部人士近日向以投资者身份致电的财联社记者表示：“我们低端产品普遍涨价10%左右，主要是IGBT部分。上游成本上涨，下游需求也渐渐回暖。”
某功率半导体大厂人士也向财联社记者确认，包括IGBT在内的所有产品均有大约10%的价格上升，原因是“市场在恢复、成本在上升。”
芯联集成管理层近期在公司业绩交流会上表示，IGBT产品近期需求增长明显，“判断未来IGBT产品供需均衡将打破，将出现需求大于市场供给的情况”。
不过，王昊骏也指出，并非所有厂商都选择了跟涨。仍有许多国产厂商为了借涨价潮抢占市场或维持订单量，选择自行吸收成本，芯片或模块仍维持原价。
某国内厂商在被问及是否跟涨时向财联社记者表示目前仍“关注中”。
MOSFET和IGBT同时涨价的背后，是AI数据中心、新能源车和上游成本三重因素的叠加。
需求端，AI数据中心是最大的增量来源。德州仪器2026年第一季度财报显示，其数据中心业务营收同比增长约90%。
英飞凌科技CEO Jochen Hanebeck在2026财年第一季度财报会上表示，AI数据中心的电源解决方案仍是公司重点，英飞凌预计2027财年AI数据中心相关营收将达约25亿欧元，2025财年该项营收已增长近三倍、超过7亿欧元。
王昊骏进一步指出，厂商选择优先向AIDC产业链客户供货，由于AIDC产品目前对标类车规标准，两者产品规格及特性有一定通用度，厂商为抢占AIDC市占率，进一步挤压了车规级芯片的供应。
新能源车的需求也在同步拉动。华润微在近期机构调研中表示，新能源领域光伏、储能、充电桩等需求持续释放，部分料号已出现满载溢出；汽车电子方面，去年导入的新客户与新项目正进入放量阶段。
供给端的收缩在放大这种紧张。
根据TrendForce集邦咨询数据，台积电、三星持续削减8英寸成熟制程产能，全球8英寸产能至2027年上半年将维持负增长，集邦咨询预估，2026年全球8英寸晶圆代工厂平均产能利用率将从2025年的75%至80%攀升至85%至90%，部分晶圆厂已通知客户调涨代工价5%至20%，且为不分客户、不分制程平台的全面性调价。封测端同样紧张，部分封测大厂产能利用率直逼满载，近期启动涨价，涨幅近30%。
王昊骏表示，从成本端看，只要原材料价格维持高位、封装成本居高不下，相关功率半导体产品价格下探空间有限。从产能端看，多数新产能预计在2026年底或2027年后才会释放，供需紧张预计将持续6至12个月。
多家企业的产能和订单数据也在印证这一判断。
华润微(688396.SH)近期在调研中表示，6英寸、8英寸及重庆12英寸产线自去年四季度以来持续满载，在手订单能见度已至今年下半年。
扬杰科技(300373.SZ)预计2026年一季度归母净利润同比增长20%至40%，公司在业绩预告中指出，当前正处于上行周期的初期阶段。
英伟达800V架构来了 碳化硅、氮化镓加速扩产
在传统功率半导体供需紧张的同时，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料正在迎来一个全新的需求入口――AI数据中心。
英伟达在2025年技术大会上将800V高压直流(HVDC)架构确立为下一代AI工厂的核心供电方案。这套架构已获得广泛支持，包括英飞凌、安森美、意法半导体、德州仪器、英诺赛科(02577.HK)在内的主流半导体厂商均已宣布支持800V供电方案。
在这其中，功率半导体是电力电子系统中实现电能转换、控制与传输的核心器件。传统的54V机架配电系统专为千瓦级机架设计，当机架功率超过200千瓦后，空间受限、铜缆过载、散热困难等问题接踵而至。
在此情况下，市场研究机构行家说三代半半导体研究总监张文灵告诉财联社记者，AIDC将成为第三代半导体的下一个爆发式增长市场，需求强劲且明确。
碳化硅和氮化镓在800V架构中各有分工。张文灵介绍，在配电端，传统工频变压器将逐步被固态变压器(SST)、中压直供800V电源系统等新型方案取代，这些方案通常采用碳化硅，单台固态变压器的碳化硅器件用量可达数百颗。
在机柜内部，板载电源需要氮化镓来提升效率和功率密度，兆瓦级DC-DC模块的氮化镓器件用量可超1000颗。
张文灵还指出，AIDC对效率和功率密度要求高，且对成本不敏感，为碳化硅和氮化镓开辟了高附加值的空间，可以缓解企业在新能源汽车和消费电子领域的价格和利润压力。
但从渗透进度看，第三代半导体在AIDC中的应用仍处于早期。
王昊骏指出，碳化硅导入AIDC电源类零部件目前处于起步阶段，市场仍以车用领域为主。碳化硅与800V电压架构发展明显绑定，但800V架构最大的门槛在于电网升级，因此碳化硅整体渗透率的成长速度相对较慢。
王昊骏同时表示，目前，随着AIDC需求加入，碳化硅相关器件也面临成本上涨，但涨幅相较硅基IGBT较为缓和。
需求方向明确，国产厂商亦已经具备接住这波需求的实力。
根据Omdia发布的2025年功率半导体报告，前四名厂商英飞凌、安森美、意法半导体和三菱电机依然稳固，中国厂商士兰微(600460.SH)在2025年首次进入全球前五行列。
第三代半导体或将成为国内功率半导体企业扩大声量的重要机遇。
张文灵确认，国产碳化硅和氮化镓厂商已具备在AI领域应用的实力。碳化硅方面，通用算力服务器电源已广泛导入国产碳化硅二极管，部分领先厂商的SiC MOSFET已与数据中心电源、固态变压器等领域达成实质性合作。
氮化镓方面，国内头部厂商技术水平已与国际厂商并驾齐驱，产品已成功进入英伟达、浪潮等头部客户供应链。
从企业层面看，天岳先进(688234.SH)2025年碳化硅衬底全球市占率跃居首位，打破了Wolfspeed多年的垄断，8英寸产品全球市占率突破50%。
英诺赛科是英伟达800V系统供应商名单中唯一的中国本土企业，近期已成功供货谷歌，其8英寸氮化镓晶圆产线月产能已从1.3万片提升至2万片。
比亚迪半导体则推出了全球首款可批量装车的1500V高耐压大功率碳化硅芯片。
面对AI和新能源车的双重拉动，国内外企业均在密集扩产。
海外方面，英飞凌斥资50亿欧元在德累斯顿建设的智能功率半导体工厂将于2026年夏启用；意法半导体在意大利卡塔尼亚新建8英寸碳化硅工厂，总投资50亿欧元，预计2026年投产；安森美斥资20亿美元在捷克建设碳化硅工厂。
国内企业的扩产节奏同样紧凑。
时代电气(688187.SH)三期株洲碳化硅产线已于2025年12月底拉通，正式投入生产；芯联集成日前表示，公司正积极推进12英寸碳化硅产线扩产；扬杰科技在越南投资建设首座车规级6英寸晶圆工厂，设计年产能240万片，预计2027年一季度量产；株洲中车8英寸碳化硅晶圆线于去年底通线，总投资53亿元，年增36万片产能；斯达半导(603290.SH)15亿元可转债已获批用于加码车规级SiC和GaN模块产能建设。
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